貼片電容全稱為多層片式陶瓷電容器，相當于一個絕緣體，在直流電路中能起到斷路的作用，在SMT加工行業(yè)中是最常用的電子元件之一。貼片電容主要分為NPO電容器、X7R電容器、Z5U電容器和Y5V電容器，它們之間的區(qū)別主要在于填充的介質(zhì)不同，在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的.

　　貼片電容全稱為多層片式陶瓷電容器，相當于一個絕緣體，在直流電路中能起到斷路的作用，在SMT加工行業(yè)中是最常用的電子元件之一。

　　貼片電容主要分為NPO電容器、X7R電容器、Z5U電容器和Y5V電容器，它們之間的區(qū)別主要在于填充的介質(zhì)不同，在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

　　一、NPO電容器

　　NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

　　NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

　　封 裝 DC=50V DC=100V

　　0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

　　1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

　　1210 560---5600pF 560---2700pF

　　2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

　　NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

　　二、X7R電容器

　　X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

　　X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

　　X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

　　封 裝 DC=50V DC=100V

　　0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

　　1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

　　1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

　　三、Z5U電容器

　　Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。

　　盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

　　封 裝 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

　　1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

　　Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下:

　　工作溫度范圍10℃ --- 85℃

　　溫度特性 22% ---- -56%

　　介質(zhì)損耗 最大 4%

　　四、Y5V電容器

　　Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達 22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。

　　Y5V電容器的取值范圍如下所示

　　封 裝 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

　　1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

　　Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下:

　　工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃

　　溫度特性 22% ---- -82%

　　介質(zhì)損耗 最大 5%

　　在選擇貼片電容，不僅要看質(zhì)量價格，還要看貼片電容屬于哪一類型，根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器，以實現(xiàn)貼片電容的最高價值。